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    例: SP1231F|SP1233FL|SW6124|SW6106|CS8626
    SP6649HF

    Part NO:SP6649HF

    封裝:SOP-8

    工作電壓:90Vac-265Vac

    簡介:SP6649HF,內置MOS,SOP8封裝,VCC耐壓40V ,30W功率
  • 一、概述 
    SP6649HF 是一顆電流模式PWM 控制芯片,內置650V 高壓功率MOSFET,應用于功率在30W以
    內的方案。SP6649HF 在PWM 模式下工作于固定開關頻率,這個頻率是由內部精確設定。在空載或者
    輕載時,工作頻率由IC內部調整。芯片可以工作在綠色模式,以此來減小輕載時的損耗,提高整機的
    工作效率。SP6649HF 在啟動和工作時只需要很小的電流,可以在啟動電路中使用一個很大的電阻,以
    此來進一步減小待機時的功耗。芯片內置有斜坡補償電路,當電路工作于大占空比時,避免次諧波振
    蕩的發生,改善系統的穩定性。內置有前沿消隱時(Leading-edge blanking time) ,消除緩沖網絡中的二
    極管反向恢復電流對電路的影響。SP6649HF 采用了抖頻技術,能夠有效改善系統的EMI 性能。系統
    的跳頻頻率設置在音頻(22KHz)以上,在工作時可以避免系統產生噪音。SP6649HF 內置多種保護,包
    括逐周期限流保護 (OCP) , 過載保護 (OLP) , 過壓保護 (VDD OVP) , VDD 過壓箝位, 欠壓保護 (UVLO) ,
    過溫保護(OTP)等,通過內部的圖騰柱驅動結構可以更好的改善系統的EMI 特性和開關的軟啟動控
    制。 
     
     
    二、特點 
    ?  全電壓范圍(90Vac-265Vac)輸入時待機功耗小于75mW 
    ?  內置650V 高壓功率管 
    ?  4ms軟啟動用來減少MOSFET 上Vds 的應力 
    ?  抖頻功能,改善EMI 性能 
    ?  跳頻模式,改善輕載效率,減小待機功耗 
    ?  無噪聲工作 
    ?  固定65KHz 開關頻率 
    ?  內置同步斜坡補償 
    ?  低啟動電流,低工作電流 
    ?  內置前沿消隱(LEB)功能 
    ?  過載保護(OLP) ,逐周期限流保護(OCP) 
    ?  VDD 過壓保護(VDD OVP) ,欠壓保護(UVLO) ,VDD 電壓箝位 
    ?  過溫保護(OTP) 
    ?  SOP8 無鉛封裝 







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